三星量產HBM2顆粒 顯卡帶寬有望達到1024GB/s

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  據Ars Technica網站報道,三星開始了第二代高位寬顯內存(HBM2)顆粒的量產,這一採用20nm 製程的產品支持高達256 GB每秒的速率,較應用於AMD Fury顯卡上的第一代HBM高出一倍。這一技術亦可以將目前顯卡產品的4GB顯存容量限制進一步提升至16GB,也就是說,未來的顯卡能夠配備容量更大的顯存。與初代HBM不同,HBM2採用堆疊工藝,DRAM顆粒彼此間相互疊加,通過硅通道垂直連接,進而可以通過堆疊通道底部的中介層與GPU直接連接。由於晶元間的距離更加接近,因此在提升速率的同時,也進一步降低了功耗。

三星量產HBM2顆粒 顯卡帶寬有望達到1024GB/s

  理論上,採用HBM2的顯卡將具備高達每秒1024GB的顯存帶寬,這一速率兩倍於Fury X顯卡系列,更是三倍於英偉達的Titan X。

  三星目前採用4GB的堆疊工藝,其計劃於今年晚些時候開始採用8GB工藝生產。

  顯存帶寬的進一步提升有望為用戶帶來更高的幀率,這一點在VR應用領域尤為重要。此外,由於HMB2顯存的功耗更低,GPU有望獲取更大動力,進一步提升顯卡的整體性能。AMD表示,通過採用HBM技術,其Fury X顯卡在顯存方面的功耗最多減少了40至50瓦。

  AMD將在即將面市的Polaris架構產品上採用HBM2技術,而英偉達也將在Pascal上採用。

  英特爾在某些處理器中採用EDRAM並獲得了一定程度的成功,但HBM2技術無疑能夠為GPU在帶寬方面帶來更大的改善。雖然採用HBM2的APU無法對高端顯卡形成威脅,但中低端的產品很快將會感受到一定程度的壓力。


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